采用高压密闭微波加热方式，以和盐酸混合酸（VHNO3∶VHCl=1∶2）消解样品，建立了微波消解-电感耦合等离子体原子发射光谱法（ICP-AES）测定五氧化二钒中质量分数为0.003%~0.****的硼和铋的分析方法。
实验表明：钒基体对硼、铋不产生光谱重叠干扰，但是，高浓度钒的基体效应降低了硼、铋谱线的检测信号强度;钒基体的连续背景叠加导致了硼、铋谱线的背景基线信号强度增强;硼、铋的部分灵敏谱线受到铬、铁等共存杂质元素的谱线重叠干扰。
方法采取钒基体匹配和同步背景校正相结合的措施消除了基体效应的影响，通过采用灵敏度高且未受共存组分影响的谱线作为分析谱线和选择合适的检测积分与背景校正区域，提高了痕量硼、铋的检测性能。
硼和铋的测定下限分别为0.001 1%和0.002 3%（二者均为质量分数），背景等效浓度分别为0.000 4%和0.001 8%（二者均为质量分数）。
样品分析结果的相对标准偏差（RSD，n=8）小于8.0%，加标回收率在93%~110%之间，五氧化二钒，实际样品测定结果与电感耦合等离子质谱法一致。
铜掺杂五氧化二钒的制备及电化学性质
铜掺杂五氧化二钒的制备及电化学性质采用沉淀法于300和600℃制备了结晶状的Cu0.04V2O5材料.扫描电镜显示，300℃时制备的样品具有多孔特征，而600℃时制备的样品具有很高的结晶度.X射线研究表明，五氧化二钒报价，少量铜掺杂不会改变V2O5的正交晶体结构.红外光谱研究表明，300℃时制备的Cu0.04V2O5样品含有少量水.热失重分析确定了样品中所含水分是以吸附水的形式存在，1mol材料分子吸附水的摩尔数约为0.18mol.铜掺杂显著改善了V2O5的结构稳定性，进而提高了材料的充放电循环性能.于600℃制备的样品在C/5.6倍率下具有160mAh·g-1的可逆比容量，但提高放电倍率明显降低了材料的循环性能.于300℃制备的样品在C/5.6倍率时的循环性能不如600℃样品，五氧化二钒价格，但该材料在C/1.9倍率时仍具有100mAh·g-1左右的可逆比容量.两种材料在电化学性能上的差异与材料的微结构有关.低温样品在较高放电倍率时良好的循环性能得益于其多孔的微结构，而高温样品由于其较高的结晶度而表现出优异的低倍率充放电性能.
随着现代化工业的发展，钒的应用日趋广泛。
自然界中，钒的主要化合物是五氧化二钒（V2O5），且V5 毒性强。
七十年代前，对于钒毒作用的研究，多限于一般毒性;近年来对钒的诱变性，国内外虽已有一些报道，但结论不一。
鉴于此，本文采用分散直接插层法使聚吡咯(PPY)嵌入五氧化二钒(V2O5)凝胶层间。
并通过X射线衍射(XRD)、红外光谱(FI-IR)和多点氮气吸附法(BET/N2)等测试手段对其进行分析，证明了PPY确实进入了五氧化二钒(V2O5)干凝胶的层间，为不溶性导电高聚物的插层提供了一条新的途径。
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